中芯国际7nm取得突破,首款芯片成功流片
作者 :正文注明 2020-10-12 17:27:01 围观 : 次 评论
根据目前的报道,中芯国际成功完成N+1工艺的芯片流片,这意味着其在7nm制程工艺上取得突破。其中所有IP全自主国产,功能一次测试通过,这个结果相当的出乎意料,因为没有想到可以那么快拿出7nm工艺,这让国产芯片制造正式进入先进工艺。
根据之前的数据表示,N+1工艺和现有的14nm工艺相比,性能提升了20%,功耗降低了57%,逻辑面积缩小了63%,SoC面积减少了55%。其在功耗、稳定性上跟7nm工艺很相似,不需要光刻机,但是在性能方面要低一点,所以它主要面向低功耗应用,预计在后期将会有N+2,它将会面向更高性能,真正的媲美7nm。
根据专家的介绍,成功“流片”表示已经在实验室得到性能达到指标的器件,但是实现真正量产,还需要在器件可靠性、退化机制等方面得到大量的数据支持和反复检验。
等到中芯国际7nm量产后,台积电、三星将会流失大量国内订,同时国内也在紧急布局芯片制造,全产业半导体国产供应链在快速型成。虽然自主研发的技术相对比国际一流水平还有一定的差距,但是已经可以在重要的领域实现自给自足,不会被其他国家限制,同时国内也在加快第三代半导体技术的研发工作。
中芯国际在之前遭受到美国出口限制,同时美国设备、配件、原物料会受到美国的进一步限制,需要申请出口许可证后才能继续供货。再这样的大背景下,中芯国际7nm获得突破的意义非凡。
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